Valmistajan tuotenumero:
TSM60N600CI C0G
Product Overview
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Osan numero:
TSM60N600CI C0G-DG
Kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB
Yksityiskohtainen kuvaus:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Varasto:
12900211
Pyydä tarjous
Määrä
Vähintään 1
Vähintään 1
(*) on pakollinen
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Olemme yhteydessä sinuun 24 tunnin kuluessa
Lähetä
TSM60N600CI C0G Tekniset tiedot
Kategoria
FETit, MOSFETit, Yksittäiset FETit, MOSFETit
Valmistaja
Taiwan Semiconductor
Paketti
-
Sarja
-
Tuotteen tila
Obsolete
FET-tyyppi
N-Channel
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss)
600 V
Virta - jatkuva tyhjennys (id) @ 25°C
8A (Tc)
Käyttöjännite (maksimi rds päällä, min rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
600mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Porttimaksu (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (enintään)
±30V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
743 pF @ 100 V
FET-ominaisuus
-
Tehohäviö (enintään)
83W (Tc)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
ITO-220AB
Pakkaus / Kotelo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Perustuotenumero
TSM60
Tietolehtinen ja asiakirjat
Tekniset tiedot
Lisätietoja
Vakio-paketti
50
Muut nimet
TSM60N600CIC0G
TSM60N600CI C0G-DG
Ympäristö- ja vientiluokitus
RoHS-tila
ROHS3 Compliant
Kosteusherkkyystaso (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-tilanne
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-sertifiointi
Liittyvät tuotteet
TSM2311CX-01 RFG
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
TSM60NB190CF C0G
MOSFET N-CH 600V 18A ITO220S
TSM160P02CS RLG
MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP
